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BUK9Y59-60E,115

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BUK9Y59-60E,115 MOS(場效應管)
    BUK9Y59-60E,115 MOS(場效應管)

    BUK9Y59-60E,115 MOS(場效應管)

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 45000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • -
  • 授權代理/原廠FAE技術支持

  • BUK9Y59-60E,115
    BUK9Y59-60E,115

    BUK9Y59-60E,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BUK9Y59-60E,115
    BUK9Y59-60E,115

    BUK9Y59-60E,115

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/曹先生/高先生

    電話:137602720171348786585218520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 25116

  • NXP USA Inc.

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • BUK9Y59-60E,115
    BUK9Y59-60E,115

    BUK9Y59-60E,115

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 標準封裝

  • 15+

  • -
  • 百分百原裝假一罰十

  • BUK9Y59-60E,115
    BUK9Y59-60E,115

    BUK9Y59-60E,115

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 電源-SO8

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 60V LFPA...

  • BUK9Y59-60E,115
    BUK9Y59-60E,115

    BUK9Y59-60E,115

  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 28500

  • NEXPERIA

  • 價格優勢

  • 2433

  • -
  • 全新原裝渠道現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
BUK9Y59-60E,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V LFPAK
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 16.7A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 6.1nC @ 5V
  • Vgs(最大值)
  • ±10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 715pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 37W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 52 毫歐 @ 5A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • LFPAK56,Power-SO8
  • 封裝/外殼
  • SC-100,SOT-669
  • 基本零件編號
  • *
  • 標準包裝
  • 1
BUK9Y59-60E,115 技術參數
  • BUK9Y58-75B,115 功能描述:MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20.73A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10.7nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1137pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):60.4W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):53 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y53-100B,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):23A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):18nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2130pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):75W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):49 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y4R8-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):50nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7853pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.1 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y4R4-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):26.8nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4077pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):147W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y43-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.2nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):45W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y9R9-80E,115 BU-L0000-375 BU-L0000-375TIN BU-L0000-500TIN BU-L000-500TIN BU-L00-375 BU-L00-375TIN BU-L00-500TIN BU-L0-375 BU-L0-375TIN BU-L0-500TIN BUL1102E BUL1102EFP BUL1203E BUL1203EFP BUL128 BUL128D-B BUL128FP
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