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BZD27C30P/G2

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制造商
Vishay Semiconductors
功能描述
DIODE ZENER 30V 2.3 W
制造商
Vishay Semiconductors
功能描述
DIODE, ZENER, 30V, 2.3 W

BZD27C30P/G2 技術參數

BZD27C30P RVG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:1 BZD27C30P RUG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±6.66% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:1,800 BZD27C30P RTG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±6.66% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:7,500 BZD27C30P RQG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±6.66% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:10,000 BZD27C30P RHG 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±6.66% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:10,000 BZD27C30PHRFG BZD27C30PHRHG BZD27C30PHRQG BZD27C30PHRTG BZD27C30PHRUG BZD27C30PHRVG BZD27C30P-M-08 BZD27C30P-M-18 BZD27C30P-M3-08 BZD27C30P-M3-18 BZD27C30PW RVG BZD27C30PWHRVG BZD27C33P M2G BZD27C33P MHG BZD27C33P MQG BZD27C33P MTG BZD27C33P R3G BZD27C33P RFG