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BZX55B2V7TAP

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BZX55B2V7TAP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX55B2V7TAP 技術參數

BZX55B2V7 A0G 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B2V4-TR 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B2V4-TAP 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 BZX55B2V4 A0G 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B27-TR 功能描述:Zener Diode 27V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 20V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B36-TAP BZX55B36-TR BZX55B39 A0G BZX55B39-TAP BZX55B39-TR BZX55B3V0 A0G BZX55B3V0-TAP BZX55B3V0-TR BZX55B3V3 A0G BZX55B3V3-TAP BZX55B3V3-TR BZX55B3V6 A0G BZX55B3V6-TAP BZX55B3V6-TR BZX55B3V9 A0G BZX55B3V9-TAP BZX55B3V9-TR BZX55B43 A0G