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CIG21L3R3MN

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CIG21L3R3MNE
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SAMSUNG
SMD
最新批號
-
一級代理，原裝特價現貨！

CIG21L3R3MNE
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Samsung Electro-Mechanics
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

CIG21L3R3MNE
深圳市寶芯創電子有限公司
深圳市寶芯創電子有限公司
聯系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規13%專
資質：營業執照
399800
原廠
SMD
15+ROHS
-
一級質量保證長期穩定提供貨優價美

CIG21L3R3MNE
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
437
Samsung Electro-Mechanics
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

CIG21L3R3MNE
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3297
SAMSUNG
SMD
2232+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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CIG21L3R3MN PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CIG21L3R3MN 技術參數

CIG21L2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 950mA 160 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:950mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:160 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21L1R5MNE 功能描述:FIXED IND 1.5UH 1.05A 140 MOHM 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIG21L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.05A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:140 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）標準包裝:1 CIG21L1R2MNE 功能描述:1.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 125 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1.2μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:125 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21L1R0MNE 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.15A 110 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21FR47MNC 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 120 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:120 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22B1R0MNE CIG22B1R5MNE CIG22B2R2MAE CIG22B2R2MLE CIG22B2R2MNE CIG22B3R3MAE CIG22B3R3MNE CIG22B4R7MAE CIG22B4R7MNE CIG22BR27MNE CIG22BR33MNE CIG22BR47MAE CIG22BR47MNE CIG22BR56MAE CIG22BR56MNE CIG22E1R0MAE CIG22E1R0MNE CIG22E1R0SNE