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CMZ39(T2L,TEM,Q)

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  • CMZ39(T2L,TEM,Q)
    CMZ39(T2L,TEM,Q)

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 856420

  • TOSHIBA

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 代理此型號,原裝正品現貨!!

  • CMZ39(T2L,TEM,Q)
    CMZ39(T2L,TEM,Q)

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  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室

  • 7099

  • TOSHIBA

  • 原廠

  • 21+

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  • 百分百進口原裝現貨,價格有優勢。

  • CMZ39(T2L,TEM,Q)
    CMZ39(T2L,TEM,Q)

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  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯系人:鄭女士

    電話:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田區佳和大廈B座1010

    資質:營業執照

  • 12420

  • TOSHIBA

  • 2025+

  • -
  • CMZ39(T2L,TEM,Q)
    CMZ39(T2L,TEM,Q)

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 2066

  • TOSHIBA

  • 2014

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

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CMZ39(T2L,TEM,Q) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
CMZ39(T2L,TEM,Q) 技術參數
  • CMZ27(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 19V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ24(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):24V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ22(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):22V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 16V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ20(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):20V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ18(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13 CMZ5929B BK CMZ5929B TR13 CMZ5930B BK CMZ5930B TR13
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