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CPH6103-TL-E

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CPH6103-TL-E 技術參數
  • CPH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 50V 1A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6071-TL-E 功能描述:TRANS PNP/NPN 20V 0.3MA CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN,PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:2.2GHz,1.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:900mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,5V / 15 @ 50mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6021-TL-H 功能描述:RF Transistor NPN 12V 100mA 10GHz 700mW Surface Mount 6-CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 1GHz 增益:14dB @ 1GHz 功率 - 最大值:700mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 50mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6020-TL-E 功能描述:RF Transistor NPN 8V 150mA 16GHz 700mW Surface Mount 6-CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):8V 頻率 - 躍遷:16GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 1GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:700mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 50mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6006-TL-E 功能描述:TRANS NPN 20V 300MA CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:2.2GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6341-M-TL-E CPH6341-M-TL-W CPH6341-TL-E CPH6341-TL-W CPH6347-TL-H CPH6347-TL-W CPH6350-P-TL-E CPH6350-TL-E CPH6350-TL-W CPH6354-TL-H CPH6354-TL-W CPH6355-TL-H CPH6355-TL-W CPH6411-TL-E CPH6429-TL-E CPH6434-TL-E CPH6442-TL-E CPH6442-TL-W
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