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CPH6339-TL-E

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CPH6339-TL-E
    CPH6339-TL-E

    CPH6339-TL-E

  • 深圳市大源實業科技有限公司
    深圳市大源實業科技有限公司

    聯系人：李女士

    電話：1530261991513762584085

    地址：深圳市龍崗區五和大道山海商業廣場C座707室

  • 45800

  • SANYO

  • SOT23-6

  • 24+

  • -

  • 原裝，公司部分現貨，有單來談QQ:161...

  • CPH6339-TL-E
    CPH6339-TL-E

    CPH6339-TL-E

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 10000

  • SANYO

  • SOT-163

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • CPH6339-TL-E
    CPH6339-TL-E

    CPH6339-TL-E

  • 深圳市華雄半導體（集團）有限公司
    深圳市華雄半導體（集團）有限公司

    聯系人：雷精云

    電話：18988598856

    地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質：營業執照

  • 3414

  • SANYO三洋

  • SOT23-6

  • 2217+

  • -

  • 十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
CPH6339-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • Cut Tape
  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • MOSFET P CH 45V 3A SOT346
  • 制造商
  • Sony Semiconductor Solutions Division
  • 功能描述
CPH6339-TL-E 技術參數
  • CPH6337-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:Not For New Designs FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6311-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1230pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6223-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:240mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:380MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6153-TL-E 功能描述:TRANS PNP 20V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:195mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6354-TL-H CPH6354-TL-W CPH6355-TL-H CPH6355-TL-W CPH6411-TL-E CPH6429-TL-E CPH6434-TL-E CPH6442-TL-E CPH6442-TL-W CPH6443-P-TL-H CPH6443-TL-H CPH6443-TL-W CPH6444-TL-E CPH6444-TL-W CPH6445-TL-W CPH6501-TL-E CPH6531-TL-E CPH6532-TL-E
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