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CPH6339

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CPH6339-TL-E
深圳市大源實業科技有限公司
深圳市大源實業科技有限公司
聯系人：李女士
電話：1530261991513762584085
地址：深圳市龍崗區五和大道山海商業廣場C座707室
45800
SANYO
SOT23-6
24+
-
原裝，公司部分現貨，有單來談QQ:161...

CPH6339
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Sanyo
SOT-23-6
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現貨！

CPH6339-TL-E
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
10000
SANYO
SOT-163
15+
-
原裝正品，假一罰十

CPH6339-TL-E
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3414
SANYO三洋
SOT23-6
2217+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

CPH6339
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現貨，代找緊缺料

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您是不是要找： CPH6341-M-TL-E CPH6341-M-TL-W CPH6341-TL-E CPH6341-TL-W CPH6347-TL-H CPH6347-TL-W CPH6350-P-TL-E CPH6350-TL-E CPH6350-TL-W

CPH6339 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CPH6339 PDF下載

制造商
SANYO
制造商全稱
Sanyo Semicon Device
功能描述
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

CPH6339 技術參數

CPH6337-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:Not For New Designs FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6311-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1230pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6223-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:240mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:380MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6153-TL-E 功能描述:TRANS PNP 20V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:195mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6354-TL-H CPH6354-TL-W CPH6355-TL-H CPH6355-TL-W CPH6411-TL-E CPH6429-TL-E CPH6434-TL-E CPH6442-TL-E CPH6442-TL-W CPH6443-P-TL-H CPH6443-TL-H CPH6443-TL-W CPH6444-TL-E CPH6444-TL-W CPH6445-TL-W CPH6501-TL-E CPH6531-TL-E CPH6532-TL-E