欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > C字母型號搜索 >

CSD1667

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " CSD1667 " 相關的供應商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復 發布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CSD1667 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
CSD1667 技術參數
  • CSD16570Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.59 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 12V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD16570Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):250nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):14000pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),195W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.59 毫歐 @ 50A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD16556Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.07 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):47nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6180pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD16415Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.15 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD16414Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):34A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.9 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3650pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD17309Q3 CSD17310Q5A CSD17311Q5 CSD17312Q5 CSD17313Q2 CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1T CSD17313Q2T CSD17318Q2 CSD17318Q2T CSD17322Q5A CSD17327Q5A CSD17381F4 CSD17381F4T CSD17382F4 CSD17382F4T CSD17483F4 CSD17483F4T
配單專家

在采購CSD1667進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買CSD1667產品風險,建議您在購買CSD1667相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的CSD1667信息由會員自行提供,CSD1667內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 安化县| 湘乡市| 泰兴市| 台北市| 东海县| 都江堰市| 英吉沙县| 荔波县| 南江县| 砀山县| 大英县| 永顺县| 和龙市| 神池县| 莱阳市| 兴业县| 娱乐| 文水县| 元阳县| 农安县| 忻城县| 黑龙江省| 云霄县| 临桂县| 丽江市| 化隆| 铁岭市| 南丰县| 周口市| 邓州市| 石渠县| 西华县| 云梦县| 平遥县| 青海省| 麻阳| 合阳县| 如皋市| 谢通门县| 棋牌| 抚州市|