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CSD17556Q5BT

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  • 數(shù)量
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國(guó)上海

  • 321170

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

  • CSD17556Q5BT
    CSD17556Q5BT

    CSD17556Q5BT

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 321170

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • CSD17556Q5BT
    CSD17556Q5BT

    CSD17556Q5BT

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
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CSD17556Q5BT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD17556Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.65V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:39nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7020pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17555Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.7 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4650pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17553Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23.5A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3252pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17552Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta），60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2050pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17552Q3A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2050pF @ 15V 功率 - 最大值:2.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-SON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17576Q5B CSD17576Q5BT CSD17577Q3A CSD17577Q3AT CSD17577Q5A CSD17577Q5AT CSD17578Q3A CSD17578Q3AT CSD17578Q5A CSD17578Q5AT CSD17579Q3A CSD17579Q3AT CSD17579Q5A CSD17579Q5AT CSD17581Q3A CSD17581Q3AT CSD17581Q5A CSD17581Q5AT
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