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CSD17573Q5BT

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD17573Q5BT
    CSD17573Q5BT

    CSD17573Q5BT

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

  • 321266

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 優勢庫存,原裝正品

  • CSD17573Q5BT
    CSD17573Q5BT

    CSD17573Q5BT

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 321266

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD17573Q5BT
    CSD17573Q5BT

    CSD17573Q5BT

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業執照

  • 7500

  • TI

  • 原廠原裝

  • 1708+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫存

  • CSD17573Q5BT
    CSD17573Q5BT

    CSD17573Q5BT

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 321266

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD17573Q5BT
    CSD17573Q5BT

    CSD17573Q5BT

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 321266

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD17573Q5BT
    CSD17573Q5BT

    CSD17573Q5BT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質:營業執照

  • 0

  • Ti

  • (DNK)

  • 19

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • CSD17573Q5BT
    CSD17573Q5BT

    CSD17573Q5BT

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質:營業執照

  • 100000

  • TEXAS INSTRUMENTS

  • N/A

  • 15+

  • -
  • 原裝正品 價格優勢!

  • CSD17573Q5BT
    CSD17573Q5BT

    CSD17573Q5BT

  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:雷精云

    電話:18988598856

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 3479

  • TI

  • VSON-8

  • 2225+

  • -
  • 十年專營,供應原裝正品!熱賣現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
CSD17573Q5BT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 100A(Ta)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 64nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 9000pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 3.2W(Ta),195W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 1 毫歐 @ 35A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 8-VSON-CLIP(5x6)
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 標準包裝
  • 1
CSD17573Q5BT 技術參數
  • CSD17573Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):64nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9000pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD17571Q2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):29 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):468pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-SON(2x2) 標準包裝:1 CSD17570Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.69 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):121nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD17559Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.15 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):51nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9200pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD17556Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):34A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.65V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7020pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD17578Q3AT CSD17578Q5A CSD17578Q5AT CSD17579Q3A CSD17579Q3AT CSD17579Q5A CSD17579Q5AT CSD17581Q3A CSD17581Q3AT CSD17581Q5A CSD17581Q5AT CSD17585F5 CSD17585F5T CSD18501Q5A CSD18502KCS CSD18502Q5B CSD18502Q5BT CSD18503KCS
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