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CSD18510KTT

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD18510KTT
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
321205
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD18510KTT
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
321205
TI
con
24+
-

CSD18510KTT
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
321205
TI
con
24+
-

CSD18510KTT
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

CSD18510KTT
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
321205
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD18510KTT
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
321205
TI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

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CSD18510KTT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CSD18510KTT 技術參數

CSD18510KCS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:75nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 CSD18509Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 32A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13900pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD18509Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 32A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13900pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD18504Q5AT 功能描述:N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），50A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1656pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），77W（Tc）工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-VSON（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18504Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.6 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1656pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD18512Q5BT CSD18513Q5A CSD18513Q5AT CSD18514Q5A CSD18514Q5AT CSD18531Q5A CSD18531Q5AT CSD18532KCS CSD18532NQ5B CSD18532NQ5BT CSD18532Q5B CSD18532Q5BT CSD18533KCS CSD18533Q5A CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT