- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄299551 > NDB6030L/S62Z (NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP) 52 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | NDB6030L/S62Z |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 52 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | NDB6030L/S62Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDB7052/L86Z | 75 A, 50 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| NDB7061/L86Z | 64 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| NDC7002N/S62Z | 510 mA, 50 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| NDS352AP/D87Z | 900 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| NDS9407/D84Z | 3000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NDB6030PL | 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDB603AL | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDB6050 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB6050L | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDB6051 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。