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IDT6116-LA35TP

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IDT6116-LA35TP 技術參數

IDT6116LA35TP 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24DIP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA35SOGI8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA35SOGI 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA35SOG8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA35SOG 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA45SOI8 IDT6116LA45TP IDT6116LA45TPG IDT6116LA45TPGI IDT6116SA15SO IDT6116SA15SO8 IDT6116SA15TP IDT6116SA20SO IDT6116SA20SO8 IDT6116SA20SOI IDT6116SA20SOI8 IDT6116SA20TP IDT6116SA20TPI IDT6116SA25SO IDT6116SA25SO8 IDT6116SA25SOI IDT6116SA25SOI8 IDT6116SA25TP