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IDT6116LA35P

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  • 操作
  • IDT6116LA35P
    IDT6116LA35P

    IDT6116LA35P

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • IDT

  • 原廠標準封裝

  • 0732+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • IDT6116LA35P
    IDT6116LA35P

    IDT6116LA35P

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 10000

  • IDT

  • DIP24

  • 15+

  • -
  • 百分百原裝假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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  • 制造商
  • IDT
  • 制造商全稱
  • Integrated Device Technology
  • 功能描述
  • CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA35P 技術參數
  • IDT6116LA25TP 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA25SO8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA25SO 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA20TP 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA20SO8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA45SO IDT6116LA45SO8 IDT6116LA45SOG IDT6116LA45SOG8 IDT6116LA45SOGI IDT6116LA45SOGI8 IDT6116LA45SOI IDT6116LA45SOI8 IDT6116LA45TP IDT6116LA45TPG IDT6116LA45TPGI IDT6116SA15SO IDT6116SA15SO8 IDT6116SA15TP IDT6116SA20SO IDT6116SA20SO8 IDT6116SA20SOI IDT6116SA20SOI8
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