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JAN1N5523BUR-1

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  • JAN1N5523BUR-1
    JAN1N5523BUR-1

    JAN1N5523BUR-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-213AA

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N5523BUR-1/TR
    JAN1N5523BUR-1/TR

    JAN1N5523BUR-1/TR

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:曹先生/周小姐/高先生

    電話:134878658521376027201718520805148

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 69634

  • Microchip / Microsemi

  • DO-213AA-2

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
JAN1N5523BUR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Aeroflex / Metelics
  • 功能描述
  • LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 5.1V 5% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk
JAN1N5523BUR-1 技術參數(shù)
  • JAN1N5523B-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):26 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N5522DUR-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5522D-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N5522CUR-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5522C-1 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N5524DUR-1 JAN1N5525B-1 JAN1N5525BUR-1 JAN1N5525C-1 JAN1N5525CUR-1 JAN1N5525D-1 JAN1N5525DUR-1 JAN1N5526B-1 JAN1N5526BUR-1 JAN1N5526C-1 JAN1N5526CUR-1 JAN1N5526D-1 JAN1N5526DUR-1 JAN1N5527B-1 JAN1N5527BUR-1 JAN1N5527C-1 JAN1N5527CUR-1 JAN1N5527D-1
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