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JAN1N754AJ

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JAN1N754AJ 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N754A-1 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N753DUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N753D-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N753CUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N753C-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N755DUR-1 JAN1N756AUR-1 JAN1N756C-1 JAN1N756CUR-1 JAN1N756D-1 JAN1N756DUR-1 JAN1N757A-1 JAN1N757AUR-1 JAN1N757C-1 JAN1N757CUR-1 JAN1N757D-1 JAN1N757DUR-1 JAN1N758A-1 JAN1N758AUR-1 JAN1N758C-1 JAN1N758CUR-1 JAN1N758D-1 JAN1N758DUR-1
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