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JAN1N755A1

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JAN1N755A1 技術參數

JAN1N754DUR-1 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N754D-1 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N754CUR-1 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N754C-1 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N754AUR-1 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N756DUR-1 JAN1N757A-1 JAN1N757AUR-1 JAN1N757C-1 JAN1N757CUR-1 JAN1N757D-1 JAN1N757DUR-1 JAN1N758A-1 JAN1N758AUR-1 JAN1N758C-1 JAN1N758CUR-1 JAN1N758D-1 JAN1N758DUR-1 JAN1N759A-1 JAN1N759AUR-1 JAN1N759C-1 JAN1N759CUR-1 JAN1N759D-1