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NLV25T-820J-PFL

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

NLV25T-820J-PFL
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4000
原廠品牌
標準封裝
09+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

NLV25T-820J-PFL
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4000
原廠品牌
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09+
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您是不是要找： NLV25T-8R2J-EF NLV25T-8R2J-EFD NLV25T-8R2J-PF NLV25T-8R2J-PFD NLV25T-R10J-EF NLV25T-R10J-EFD NLV25T-R10J-PF NLV25T-R10J-PFD NLV25T-R12J-EF

NLV25T-820J-PFL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

NLV25T-820J-PFL 技術參數(shù)

NLV25T-820J-PF 功能描述:82μH Unshielded Wirewound Inductor 66mA 19 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:82μH 容差:±5% 額定電流:66mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:19 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:20 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:13MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-820J-EFD 功能描述:82μH Unshielded Wirewound Inductor 66mA 19 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:82μH 容差:±5% 額定電流:66mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:19 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:20 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:13MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-820J-EF 功能描述:82μH Unshielded Wirewound Inductor 66mA 19 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:82μH 容差:±5% 額定電流:66mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:19 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:20 @ 796kHz 頻率 - 自諧振:13MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:796kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-6R8J-PF 功能描述:6.8μH Unshielded Wirewound Inductor 165mA 2.7 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:6.8μH 容差:±5% 額定電流:165mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.7 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:25 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:39MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-6R8J-EFD 功能描述:6.8μH Unshielded Wirewound Inductor 165mA 2.7 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:6.8μH 容差:±5% 額定電流:165mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.7 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:25 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:39MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-R12J-EFD NLV25T-R12J-PF NLV25T-R12J-PFD NLV25T-R15J-EF NLV25T-R15J-EFD NLV25T-R15J-PF NLV25T-R15J-PFD NLV25T-R18J-EF NLV25T-R18J-EFD NLV25T-R18J-PF NLV25T-R18J-PFD NLV25T-R22J-EF NLV25T-R22J-EFD NLV25T-R22J-PF NLV25T-R22J-PFD NLV25T-R27J-EF NLV25T-R27J-EFD NLV25T-R27J-PF