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NLV45T-331J-PF

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NLV45T-331J-PF 技術(shù)參數(shù)
  • NLV37WZ14USG 功能描述:變換器 LOG TRIPLE INVERTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube NLV37WZ07USG 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Triple Buffer with Open Drain Outputs NLV32T-R82J-PF 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 650 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:650 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:140MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-R82J-EFD 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 650 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:650 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:140MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-R82J-EF 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 650 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:650 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:140MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV74ACT02DR2G NLV74ACT125DR2G NLV74ACT138DR2G NLV74ACT139DR2G NLV74ACT244DWR2G NLV74FST3257DR2G NLV74HC00ADG NLV74HC00ADR2G NLV74HC00ADTR2G NLV74HC02ADR2G NLV74HC02ADTR2G NLV74HC03ADG NLV74HC03ADR2G NLV74HC03ADTR2G NLV74HC04ADG NLV74HC04ADR2G NLV74HC04ADTR2G NLV74HC08ADR2G
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