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NP80N04PDG-E2B-AY

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NP80N04PDG-E2B-AY
甄芯網
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聯系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質：營業執照
2000
R
TO-263
13+
-
不止網址數量.以電話為準

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制造商
RENESAS
制造商全稱
Renesas Technology Corp
功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP80N04PDG-E2B-AY 技術參數

NP5Q128AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 128MBIT 33MHZ SOIC NP5Q128A13ESFC0E 功能描述:128MBIT P5Q PCM HV 3V SOIC LF RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Omneo™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并聯電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 NP5Q064AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 64MBIT 33MHZ SOIC NP5Q032AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 32MBIT 33MHZ SOIC NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP80N055PDG-E1B-AY NP80N06MLG-S18-AY NP80N06NLG-S18-AY NP80N06PLG-E1B-AY NP82N03PUG-E1-AY NP82N03PUG-E1-AZ NP82N04MDG-S18-AY NP82N04MLG-S18-AY NP82N04MUG-S18-AY NP82N04NDG-S18-AY NP82N04NLG-S18-AY NP82N04NUG-S18-AY NP82N04PDG-E1-AY NP82N04PUG-E1-AY NP82N04PUG-E1-AZ NP82N055MUG-S18-AY NP82N055NUG-S18-AY NP82N055PUG-E1-AY