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NX7100GS-TD256E

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制造商
Micro-Star International
功能描述
MSI NX7100GS, VIDEO CARD - Bulk

NX7100GS-TD256E 技術(shù)參數(shù)

NX7002BKXBZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:260mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V 功率 - 最大值:285mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-DFN（1.1x1）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7002BKWX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V SC-70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:270mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7002BKSX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:270mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7002BKR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:270mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX7002BKMYL 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:350mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），3.1W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NX72G1102Z NX72W2201Z NX7335AN-AA-AZ NX7335BN-AA-AZ NX7337BF-AA-AZ NX7338BF-AA-AZ NX7339BB-AA-AZ NX7363JB-BC-AZ NX73K0004Z NX7437BF-AA-AZ NX7535BN-AA-AZ NX7537BF-AA-AZ NX7538BF-AA-AZ NX7539BB-AA-AZ NX7563JB-BC-AZ NX7637BF-AA-AZ NX7639BB-AA-AZ NX7663JB-BC-AZ