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NX7101IDMTR

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • NX7101IDMTR
    NX7101IDMTR

    NX7101IDMTR

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 65055

  • MICROSEMI

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • NX7101IDMTR
    NX7101IDMTR

    NX7101IDMTR

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • 8-SOIC

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • NX7101IDMTR
    NX7101IDMTR

    NX7101IDMTR

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • NA

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • NX7101IDMTR
    NX7101IDMTR

    NX7101IDMTR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • MICROSEMI

  • SOP-8

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • NX7101IDMTR
    NX7101IDMTR

    NX7101IDMTR

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • Microsemi Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十

  • NX7101IDMTR
    NX7101IDMTR

    NX7101IDMTR

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • SOIC

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • NX7101IDMTR
    NX7101IDMTR

    NX7101IDMTR

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 21475

  • MICROSE

  • SOP8

  • 1102+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • NX7101IDMTR
    NX7101IDMTR

    NX7101IDMTR

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 6255

  • Microsemi Analog Mixed Si

  • 8-SOIC

  • 1320+

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存!400-800-03...

  • NX7101IDMTR
    NX7101IDMTR

    NX7101IDMTR

  • 深圳市興合盛科技發展有限公司
    深圳市興合盛科技發展有限公司

    聯系人:銷售部:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質:營業執照

  • 369

  • Microsemi Corporation

  • 8-SOIC

  • 23+

  • -
  • 真實的資源竭誠服務您!

  • NX7101IDMTR
    NX7101IDMTR

    NX7101IDMTR

  • 甄芯網
    甄芯網

    聯系人:柯先生/趙小姐

    電話:0755-83665813

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部:中航路都會電子3C002B

    資質:營業執照

  • 2204

  • MICROSEMI

  • SMD

  • 1102+ROHS

  • -
  • 進口原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共30條 
  • 1
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NX7101IDMTR 技術參數
  • NX7002BKXBZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):260mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V 功率 - 最大值:285mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-DFN(1.1x1) 標準包裝:1 NX7002BKWX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V SC-70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 1.67W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:1 NX7002BKSX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 1.67W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSSOP 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 標準包裝:1 NX7002BKR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 1.67W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 NX7002BKMYL 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta),3.1W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 標準包裝:1 NX7335AN-AA-AZ NX7335BN-AA-AZ NX7337BF-AA-AZ NX7338BF-AA-AZ NX7339BB-AA-AZ NX7363JB-BC-AZ NX73K0004Z NX7437BF-AA-AZ NX7535BN-AA-AZ NX7537BF-AA-AZ NX7538BF-AA-AZ NX7539BB-AA-AZ NX7563JB-BC-AZ NX7637BF-AA-AZ NX7639BB-AA-AZ NX7663JB-BC-AZ NX8045GB-10.000000MHZ NX8045GB-12.000000MHZ
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