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PBLS1503V115

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PBLS1503V115 技術參數

PBLS1503V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，15V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PBLS1502Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，15V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:4.7 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:PBLS1502 標準包裝:1 PBLS1502V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，15V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:4.7k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PBLS1501Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，15V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:2.2 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:PBLS1501 標準包裝:1 PBLS1501V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，15V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:2.2 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:PBLS1501 標準包裝:1 PBLS2004D,115 PBLS2021D,115 PBLS2022D,115 PBLS2023D,115 PBLS2024D,115 PBLS4001D,115 PBLS4001V,115 PBLS4001Y,115 PBLS4002D,115 PBLS4002V,115 PBLS4002Y,115 PBLS4003D,115 PBLS4003V,115 PBLS4003Y,115 PBLS4004D,115 PBLS4004V,115 PBLS4004Y,115 PBLS4005D,115