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PEMH19

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  • 操作
  • PEMH19
    PEMH19

    PEMH19

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • NXP

  • SOT666

  • 10+

  • -

  • 原裝現貨優勢庫存

  • PEMH19,115
    PEMH19,115

    PEMH19,115

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • NXP

  • SOT-563

  • 新年份

  • -

  • 一級代理全新原裝現貨特價！

  • PEMH19
    PEMH19

    PEMH19

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 20000

  • NXP

  • SOT363

  • 10+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • PEMH19115
    PEMH19115

    PEMH19115

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：何芝

    電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 3955

  • PULSE

  • ROHS

  • 201215

  • -

  • 原裝正品，現貨庫存！400-800-03...

  • PEMH19,115
    PEMH19,115

    PEMH19,115

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質：營業執照

  • 10000

  • PHA

  • SOT666

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，價格優勢！

  • 1/1頁 40條/頁 共22條 
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PEMH19 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • NPN/PNP resistor-equipped transistors
PEMH19 技術參數
  • PEMH15,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐 電阻器 - 發射極基底（R2）:4.7 千歐 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH13,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐 電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH11,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 千歐 電阻器 - 發射極基底（R2）:10 千歐 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH10,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐 電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMF21,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，12V 電阻器 - 基底（R1）:10 千歐 電阻器 - 發射極基底（R2）:10 千歐 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V / 200 @ 10mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:PEMF21 標準包裝:1 PEMH9,115 PEMH9,315 PEMI1QFN/CE,315 PEMI1QFN/CG,315 PEMI1QFN/CK,315 PEMI1QFN/CM,315 PEMI1QFN/CP,315 PEMI1QFN/CR,315 PEMI1QFN/CT,315 PEMI1QFN/HE,315 PEMI1QFN/HG,315 PEMI1QFN/HK,315 PEMI1QFN/HM,315 PEMI1QFN/HP,315 PEMI1QFN/HR,315 PEMI1QFN/HT,315 PEMI1QFN/LE,315 PEMI1QFN/LG,315
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