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PHP20NQ20T/B

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PHP20NQ20T/B 技術參數

PHP20NQ20T,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 20A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2470pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP20N06T,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20.3A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:483pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP1-S5-S5-M-TR 功能描述:DC-DC ISOLATED, 1 W, 5 VDC INPUT 制造商:cui inc. 系列:* 零件狀態:新產品標準包裝:1 PHP1-S5-S15-M-TR 功能描述:DC-DC ISOLATED, 1 W, 5 VDC INPUT 制造商:cui inc. 系列:* 零件狀態:新產品標準包裝:1 PHP1-S5-S12-M-TR 功能描述:DC-DC ISOLATED, 1 W, 5 VDC INPUT 制造商:cui inc. 系列:* 零件狀態:新產品標準包裝:1 PHP30 PHP3055E,127 PHP30NQ15T,127 PHP32N06LT,127 PHP33NQ20T,127 PHP34NQ11T,127 PHP36N03LT,127 PHP440 PHP45N03LTA,127 PHP45NQ10T,127 PHP45NQ10TA,127 PHP45NQ11T,127 PHP45NQ15T,127 PHP47NQ10T,127 PHP500 PHP52N06T,127 PHP54N06T,127 PHP55N03LTA,127