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PMR100HZPFU10L0

配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠(chǎng)商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

PMR100HZPFU10L0
深圳市崧曄達(dá)科技有限公司
深圳市崧曄達(dá)科技有限公司
聯(lián)系人：苑小姐
電話(huà)：13926591096
地址：深圳市福田區(qū)新亞洲二期N1A160
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
580
ROHM
N/A
2134+
-
只做原裝，實(shí)單來(lái)談

PMR100HZPFU10L0
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話(huà)：18724450645
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
100
ROHM
con
24+
-
電阻器

PMR100HZPFU10L0
廣東濟(jì)德精密電子有限公司
廣東濟(jì)德精密電子有限公司
聯(lián)系人：吳
電話(huà)：18724450645
地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號(hào)2棟2樓
110
ROHM
NA
23+
-
現(xiàn)貨！就到京北通宇商城

PMR100HZPFU10L0
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話(huà)：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
100
ROHM
con
24+
-
電阻器

PMR100HZPFU10L0
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話(huà)：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4000
ROHM
2512 [6432 (mm)], 1%
21+
-
原裝現(xiàn)貨，假一賠百,支持實(shí)單

PMR100HZPFU10L0
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：許先生
電話(huà)：18898761413
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
12500
ROHM/羅姆
25126432
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

PMR100HZPFU10L0
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Rohm Semiconductor
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

PMR100HZPFU10L0
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Rohm
原廠(chǎng)封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

PMR100HZPFU10L0
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話(huà)：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
4000
ROHM SEMICONDUCTOR
價(jià)格優(yōu)勢(shì)
2342
-
全新原裝渠道現(xiàn)貨

PMR100HZPFU10L0
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話(huà)：13428937514
地址：門(mén)市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
2000
ROHM
2512
2011
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

PMR100HZPFU10L0
北京力通科信電子有限公司
北京力通科信電子有限公司
聯(lián)系人：韓小姐
電話(huà)：13661385246
地址：北京市海淀區(qū)知春路118號(hào)知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場(chǎng)B1303-b1305柜臺(tái)
1920
SMD
-
1元原裝現(xiàn)貨13661385246

PMR100HZPFU10L0
東莞鼎岑科技有限公司
東莞鼎岑科技有限公司
聯(lián)系人：莫
電話(huà)：18925581989
地址：廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)林村大道445號(hào)北鉅業(yè)大夏319室
92000
ROHM
20+
-

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1

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功能描述
RES .010 OHM 2W 1% 2512 SMD
RoHS
是
類(lèi)別
電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝
系列
PMR100
產(chǎn)品目錄繪圖
ERA-(2,6)A Series
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
系列
ERA-6A
電阻（歐姆）
1M
功率（瓦特）
0.125W，1/8W
復(fù)合體
薄膜
特點(diǎn)
-
溫度系數(shù)
±25ppm/°C
容差
±0.1%
封裝/外殼
0805（2012 公制）
尺寸/尺寸
0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）
高度
0.024"（0.60mm）
端子數(shù)
2
包裝
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁(yè)面
2242 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱(chēng)
P1MDADKR

PMR100HZPFU10L0 技術(shù)參數(shù)

PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.8A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），15.6W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 2.8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類(lèi)型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB45EPAX 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR100HZPFV4L00 PMR100HZPJU10L PMR100HZPJU5L0 PMR100HZPJU6L0 PMR100HZPJU7L0 PMR100HZPJU8L0 PMR100HZPJU9L0 PMR100HZPJV10L PMR100HZPJV1L0 PMR100HZPJV1L5 PMR100HZPJV2L0 PMR100HZPJV2L2 PMR100HZPJV3L0 PMR100HZPJV4L0 PMR10EZPFU10L0 PMR10EZPFU5L00 PMR10EZPFU6L00 PMR10EZPFU7L00

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