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PMV30UN215

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操作

PMV30UN215
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NXP
SOT23
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

PMV30UN215
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
2500
PH3
2012+
-
只做原裝正品。

PMV30UN215
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
NXP
SOT23
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

PMV30UN215
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
2800
NXP
SOT23
1041+
-
全新原裝現貨

PMV30UN215
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
200
nxp
sot23
1041+
-
進口原裝現貨，一定自己庫存

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 20V 5.7A SOT-23

PMV30UN215 技術參數

PMV30UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 20V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 PMV28UNEAR 功能描述:MOSFET N-CH 20V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:490pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 3.9W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 4.7A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV28UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 3.3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 270μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:470pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PMV27UPER 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 4.15W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 4.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV27UPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 4.15W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 4.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV37EN2R PMV40UN,215 PMV40UN2R PMV4248GY PMV42ENER PMV450ENEAR PMV45EN,215 PMV45EN2R PMV45EN2VL PMV48XP,215 PMV48XP/MIR PMV48XPAR PMV48XPVL PMV50ENEAR PMV50EPEAR PMV50UPE,215 PMV50UPEVL PMV50XPR