欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > P字母型號搜索 >

PMV50UPE215

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PMV50UPE215
現貨
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
500000
NXP
SOT-23
22+
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

PMV50UPE215
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區雅寶路1號星河world， A棟2203A
54572
NXP USA Inc.
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： PMV50UPEVL PMV50XPR PMV55ENEAR PMV56XN,215 PMV60EN,215 PMV62XN,215 PMV6-35RB-2K PMV6-3RB-2K PMV6-3R-L

PMV50UPE215 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMV50UPE215 技術參數

PMV50UPE,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:24pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:66 毫歐 @ 3.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV50EPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:793pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 455mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 4.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV50ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.9A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:276pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 3.9W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 3.9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV48XPAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 4.15W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 2.4A，4.5V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV48XP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 2.4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV6-3R-X PMV6-4FB-2K PMV6-4F-L PMV6-4RB-2K PMV6-4R-L PMV6-4R-X PMV65ENEAR PMV6-5FB-2K PMV6-5F-L PMV6-5RB-2K PMV6-5R-L PMV6-5R-X PMV65UN,215 PMV65UNEAR PMV65UNER PMV65XP,215 PMV65XP/MIR PMV65XPEAR