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SI5458DU-T1-GE3

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  • 封裝
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  • SI5458DU-T1-GE3
    SI5458DU-T1-GE3

    SI5458DU-T1-GE3

  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯系人:鄭女士

    電話:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田區佳和大廈B座1010

    資質:營業執照

  • 56303

  • Vishay / Siliconix

  • ChipFET-8

  • 2025+

  • -
  • SI5458DU-T1-GE3
    SI5458DU-T1-GE3

    SI5458DU-T1-GE3

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 14925

  • VISHAY SI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
SI5458DU-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 30V 6.0A 10.4W 51mohm @ 4.5V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SI5458DU-T1-GE3 技術參數
配單專家

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