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SI5475BDC-T1-GE3

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    SI5475BDC-T1-GE3

    SI5475BDC-T1-GE3

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：周小姐/曹先生/高先生

    電話：137602720171348786585218520805148

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

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  • 功能描述
  • MOSFET 12V 6.0A 6.3W 28mohm @ 4.5V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SI5475BDC-T1-GE3 技術參數
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