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STGB18N40LZ-1

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STGB18N40LZ-1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

STGB18N40LZ-1
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
14967
ST/意法
TO220MONOC..
22+
-

STGB18N40LZ-1
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
15326
STM
TO 220
2025+
-
代理商庫房現貨

STGB18N40LZ-1
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區雅寶路1號星河world， A棟2203A
28117
STMicroelectronics
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

STGB18N40LZ-1
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
91107
STMicroelectronics
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

STGB18N40LZ-1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
I2PAK
18+
-
IGBT 420V 30A 150W ...

STGB18N40LZ-1
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3526
ST
I2PAK
14+
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

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STGB18N40LZ-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
IGBT 晶體管 EAS 180 mJ-400V IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發射極最大電壓
20 V
在25 C的連續集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGB18N40LZ-1 技術參數

STGB15M65DF2 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:136W 開關能量:90μJ（開），450μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:45nC 25°C 時 Td（開/關）值:24ns/93ns 測試條件:400V，15A，12 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:142ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB15H60DF 功能描述:IGBT 600V 30A 115W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:115W 開關能量:136μJ（開），207μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:81nC 25°C 時 Td（開/關）值:24.5ns/118ns 測試條件:400V，15A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:103ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB14NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，7A 功率 - 最大值:80W 開關能量:82μJ（開），155μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:34.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:22.5ns/116ns 測試條件:390V，7A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB14NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，7A 功率 - 最大值:80W 開關能量:82μJ（開），155μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:34.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:22.5ns/116ns 測試條件:390V，7A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:37ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB12NB60KDT4 功能描述:IGBT 600V 30A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.8V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 開關能量:258μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:54nC 25°C 時 Td（開/關）值:25ns/96ns 測試條件:480V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB20NB32LZ STGB20NB37LZ STGB20NB37LZT4 STGB20NB41LZT4 STGB20NC60V STGB20NC60VT4 STGB20V60DF STGB20V60F STGB25N40LZAG STGB30H60DF STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1

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