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STGB19NC60S

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STGB19NC60S
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
D2PAK
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

STGB19NC60S
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

STGB19NC60S
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
18378
ST/意法
D2PAK
22+
-

1/1頁 40條/頁共4條
1

您是不是要找： STGB19NC60WT4 STGB20H60DF STGB20M65DF2 STGB20N40LZ STGB20N45LZAG STGB20NB32LZ STGB20NB37LZ STGB20NB37LZT4 STGB20NB41LZT4

STGB19NC60S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STGB19NC60S 技術參數

STGB19NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.75V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 開關能量:165μJ（開），255μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/105ns 測試條件:480V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB19NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.75V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 開關能量:165μJ（開），255μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/105ns 測試條件:480V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:31ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB19NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 開關能量:85μJ（開），189μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:53nC 25°C 時 Td（開/關）值:25ns/97ns 測試條件:390V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:31ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB18N40LZT4 功能描述:IGBT 420V 30A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:420V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，10A 功率 - 最大值:150W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:29nc 25°C 時 Td（開/關）值:650ns/13.5μs 測試條件:300V，10A，5V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB15M65DF2 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:136W 開關能量:90μJ（開），450μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:45nC 25°C 時 Td（開/關）值:24ns/93ns 測試條件:400V，15A，12 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:142ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB20NC60V STGB20NC60VT4 STGB20V60DF STGB20V60F STGB25N40LZAG STGB30H60DF STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4