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STI3400DVC

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  • STI3400DVC
    STI3400DVC

    STI3400DVC

    現貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯系人:張育豪 13360528695

    電話:0755-23607487

    地址:深圳市福田區華富路1006號 航都大廈11樓一層

    資質:營業執照

  • 14456

  • ST/意法

  • QFP

  • 22+

  • -
  • 原廠原裝現貨

  • STI3400DVC
    STI3400DVC

    STI3400DVC

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • QFP

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
STI3400DVC PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STI3400DVC 技術參數
  • STI33N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):41.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1790pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI33N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):26A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1781pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK(TO-262) 標準包裝:50 STI32N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):119 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3320pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI30N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):139 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2880pF @ 100V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI300N4F6 功能描述:MOSFET N CH 40V 160A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI57N65M5 STI5N52U STI6N62K3 STI6N80K5 STI6N90K5 STI76NF75 STI8N65M5 STI90N4F3 STICE-SYS001 STIDMW830042112AAA STIDMW830082112AAA STIDMW830112112AAA STIDMW840042112AAA STIDMW840082112AAA STIDMW840112112AAA STIEC45-24ACS STIEC45-24AS STIEC45-26ACS
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