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STI4500ACVBBE

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STI4500ACVBBE
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：張育豪 13360528695
電話：0755-23607487
地址：深圳市福田區華富路1006號航都大廈11樓一層
資質：營業執照
14508
ST/意法
QFP
22+
-
原廠原裝現貨

STI4500ACVBBE
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
18530
ST
QFP
23+
-
全新原裝正品現貨

STI4500ACVBBE
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
QFP
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

STI4500ACVBBE
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
QFP
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STI4500ACVBBE
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
全新原裝現貨
-
假一罰十，百分百原裝正品

STI4500ACVBBE
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
36200
ST
QFP
18+
-
原裝正品，歡迎訂購

STI4500ACVBBE
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
36200
ST
QFP
18+
-
原裝正品，歡迎訂購

STI4500ACVBBE
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
720
ST
QFP
95+
-
全新原裝現貨

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STI4500ACVBBE PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STI4500ACVBBE 技術參數

STI42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:79 毫歐 @ 16.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4650pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI40N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI400N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:377nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262）標準包裝:50 STI360N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17930pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262）標準包裝:50 STI35N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:98 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:83nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI8N65M5 STI90N4F3 STICE-SYS001 STIDMW830042112AAA STIDMW830082112AAA STIDMW830112112AAA STIDMW840042112AAA STIDMW840082112AAA STIDMW840112112AAA STIEC45-24ACS STIEC45-24AS STIEC45-26ACS STIEC45-26AS STIEC45-27AS STIEC45-28ACS STIEC45-28AS STIEC45-30ACS STIEC45-30AS