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STV19WS02-V2

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STV19WS02-V2 技術參數
  • STV160NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4700pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV160NF02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 15V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV0976 功能描述:IC COPROCESSOR DGTL SMIA 56TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 專用 IC 系列:* 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:1 系列:- 類型:調幀器 應用:數據傳輸 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:400-BBGA 供應商設備封裝:400-PBGA(27x27) 包裝:散裝 STV0974E/TR 功能描述:音頻 DSP Imaging Coprocessor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作電源電壓: 電源電流: 工作溫度范圍: 安裝風格: 封裝 / 箱體: 封裝:Tube STV08 功能描述:Dip Switch SPST 8 Position Through Hole Slide (Standard) Actuator 10mA 5VDC 制造商:te connectivity alcoswitch switches 系列:STV 包裝:管件 零件狀態:有效 電路:SPST 針腳數:8 額定電流:10mA 額定電壓:5VDC 致動器類型:滑動式(標準) 致動器水平:凹槽式,隱藏式 觸頭材料:銅合金 觸頭鍍層:金 板上高度:0.244"(6.20mm) 安裝類型:通孔 端子類型:PC 引腳 間距:0.100"(2.54mm),全 可水洗:是 特性:- 基體材料:聚苯硫醚(PPS) 長度:0.926"(23.52mm) 工作溫度:-30°C ~ 85°C 機械壽命:1,000 次循環 電氣壽命:1,000 次循環 標準包裝:20 STV-5700C-D02 STV6412AD STV6412ADT STV6413DT STV-6501C-D01 STV6618D STV-674/100T-E01 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216
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