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STV2151B

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STV2151B-CB
    STV2151B-CB

    STV2151B-CB

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 500

  • ST

  • DIP

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品。

  • STV2151B-CB
    STV2151B-CB

    STV2151B-CB

  • 深圳市訊順達(dá)科技有限公司
    深圳市訊順達(dá)科技有限公司

    聯(lián)系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐

    電話：0755-827272340755-23915567

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A座15KL

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4200

  • ST

  • 原廠封裝

  • 23+

  • -

  • 全新原裝歡迎詢價(jià)下單

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • Color Decoder Circuit
STV2151B 技術(shù)參數(shù)
  • STV2050A 功能描述:視頻 IC Digital Conv Procssr RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 工作電源電壓:5 V 電源電流:80 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TSSOP-28 封裝:Reel STV200N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:600 STV160NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4700pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV160NF02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 15V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV0976 功能描述:IC COPROCESSOR DGTL SMIA 56TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 專用 IC 系列:* 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:調(diào)幀器 應(yīng)用:數(shù)據(jù)傳輸 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:400-BBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:400-PBGA（27x27） 包裝:散裝 STV6412ADT STV6413DT STV-6501C-D01 STV6618D STV-674/100T-E01 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01 STV-974/552S-R02
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