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STV2155

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STV2155
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
資質：營業(yè)執(zhí)照
152
ST
DIP30
18+
-
原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨

STV2155
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503
資質：營業(yè)執(zhí)照
5340
ST
DIP30
1301+
-
原裝現(xiàn)貨/特價

STV2155
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
ST
DIP30直插
96+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STV2155
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
1256
ST
DIP30
2012+
-
只做原裝正品。

STV2155
深圳市訊順達科技有限公司
深圳市訊順達科技有限公司
聯(lián)系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐
電話：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A座15KL
資質：營業(yè)執(zhí)照
4200
ST
原廠封裝
23+
-
全新原裝歡迎詢價下單

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1

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STV2155 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STV2155 技術參數(shù)

STV2050A 功能描述:視頻 IC Digital Conv Procssr RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 工作電源電壓:5 V 電源電流:80 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TSSOP-28 封裝:Reel STV200N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:600 STV160NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4700pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV160NF02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 15V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV0976 功能描述:IC COPROCESSOR DGTL SMIA 56TFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 專用 IC 系列:* 產(chǎn)品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:1 系列:- 類型:調幀器應用:數(shù)據(jù)傳輸安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:400-BBGA 供應商設備封裝:400-PBGA（27x27）包裝:散裝 STV6412ADT STV6413DT STV-6501C-D01 STV6618D STV-674/100T-E01 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01 STV-974/552S-R02