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STV3NA80

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  • STV3NA80
    STV3NA80

    STV3NA80

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • 原廠品牌

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 09/10+

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  • STV3NA80
    STV3NA80

    STV3NA80

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

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  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | SMT
STV3NA80 技術(shù)參數(shù)
  • STV300NH02L 功能描述:MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):109nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7055pF @ 15V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV270N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):270A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV250N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV240N75F3 功能描述:MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 120A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV2050A 功能描述:視頻 IC Digital Conv Procssr RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 工作電源電壓:5 V 電源電流:80 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TSSOP-28 封裝:Reel STV-674/100T-E01 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01 STV-974/552S-R02 STV-H11-F/CO-G STVM100DC6F STVM100DS6F STW0101N
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