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STV5348/H-A5

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說明
操作

STV5348/H-A5
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
STM
DIP-28
最新批號
-
代理此型號.原裝特價現貨！

STV5348/H-A5
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
136
-
假一罰十，百分百原裝正品

STV5348/H-A5
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

STV5348/H-A5
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
11630
ST
原廠原裝
18+
-
原裝正品，優勢供應

STV5348/H-A5
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
7653
ST
DIP-28
2012+
-
只做原裝正品。

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1

您是不是要找： STV5348D STV-5501C-D01 STV-5700C-D02 STV6412AD STV6412ADT STV6413DT STV-6501C-D01 STV6618D STV-674/100T-E01

STV5348/H-A5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STV5348/H-A5 技術參數

STV5348 功能描述:等離子體驅動器 Teletext/VPS Decoder RoHS:否制造商:STMicroelectronics STV300NH02L 功能描述:MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:109nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7055pF @ 15V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV270N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:270A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV250N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV240N75F3 功能描述:MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 120A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01 STV-974/552S-R02 STV-H11-F/CO-G STVM100DC6F STVM100DS6F STW0101N STW0201N