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STW56NM60ND

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  • STW56NM60ND
    STW56NM60ND

    STW56NM60ND

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-247

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • STW56NM60ND
    STW56NM60ND

    STW56NM60ND

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • TO-247

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  • 1
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  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
STW56NM60ND 技術參數
  • STW56NM60N 功能描述:MOSFET N CH 600V 45A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):45A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 22.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW56N65M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 650V I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):93nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3900pF @ 100V 功率 - 最大值:358W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-4 供應商器件封裝:TO-247-4L 標準包裝:30 STW56N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):93nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3900pF @ 100V 功率 - 最大值:358W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW56N65DM2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 48A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):48A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 24A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):88nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4100pF @ 100V 功率 - 最大值:360W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW56N60M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):52A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3750pF @ 100V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-4 供應商器件封裝:TO-247-4L 標準包裝:30 STW62NM60N STW65N65DM2AG STW65N80K5 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW70N60M2 STW70N60M2-4 STW70N65M2 STW72N60DM2AG STW75N20 STW75NF20 STW75NF30
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