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參數資料
型號: SMBJ200
元件分類: TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述: 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
文件頁數: 4/4頁
文件大小: 230K
代理商: SMBJ200
Silicon Avalanche Diodes
265
www .littelfuse .com
6
SILICON
DIODE
ARRA
YS
600W Surface Mount Transient Voltage Supressors
SMBJ Series
Package Outline Dimensions and Pad Layout
2.16
2.74
2.16
2.26
Solder Pads
All dimensions in mm
RoHS
相關PDF資料
PDF描述
SC180H045S5PPBF 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SC180R015S5FPBF 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SC180R015A5FPBF 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SC200H150A5PPBF 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SK3080CD2 15 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
相關代理商/技術參數
參數描述
SMBJ200A 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 200Vr 600W 1.9A 5% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ200AE3/TR13 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:600W, STAND-OFF VOLTAGE = 200V, ? 5%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 600W 200V 5% UNIDIR SMBJ
SMBJ200C 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 200Vr 600W 1.9A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ200CA 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 200Vr 600W 1.9A 5% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ200CAE3/TR13 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:600W, STAND-OFF VOLTAGE = 200V, ? 5%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 600W 200V 5% BIDIR SMBJ
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