型號: | SMBJ8.0CA |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE SMB, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 76K |
代理商: | SMBJ8.0CA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SSR2009ZDBTXV | 20 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254 |
SSR2010ZS | 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254 |
SSR3515DMUS | 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
SSR3515DRMDS | 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
SSR3515DRMUS | 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJ85 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 85Vr 600W 4.4A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ85/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ85/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ85/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ85/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |