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參數資料
| 型號： | SMBJ8.0CA |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE SMB, 2 PIN |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | SMBJ8.0CA |
DS19002 Rev. 15 - 2
3 of 4
SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A
www.diodes.com
1
10
100
1000
10
100
1000
10,000
V
, REVERSE STANDOFF VOLTAGE (V)
Fig.2 Typical Total Capacitance
RWM
C
,
CAP
A
CIT
A
NCE
(pF)
T
T= 25 C
j
°
f=1.0MHz
V
= 50 mV p-p
sig
Measured at
zero bias
Uni-directional
Bi-directional
10 X 1000 Waveform
as defined by REA
0
25
50
75
100
125
150 175
200
100
75
50
25
0
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
Fig. 1 Pulse Derating Curve
A
°
PEAK
PULSE
D
ERA
TING
IN
%
O
F
PEAK
POWER
O
R
CURRENT
0.1
1.0
0.1
10
100
1.0
10
1000
10000
T= 25 C
j
°
P
,
PEAK
PULSE
P
OWER
(kW)
PK
100
Non Repetitive
Pulse Waveform
Shown in Fig. 4
01
2
3
100
50
0
I
,
PEAK
PULSE
CURRENT
(%I
)
PP
pp
Peak Value I
pp
Half Value I /2
pp
10 X 1000 Waveform
as defined by R.E.A.
t
p
t, TIME (ms)
Fig. 4 Pulse Waveform
0
120
100
80
60
40
20
2
5
10
I
,
PEAK
FOR
W
A
RD
SURGE
CURRENT
(A)
FSM
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
Fig. 5 Maximum Non-Repetitive Surge Current
20
50
100
1
Pulse Width 8.3ms
Single Half-Sine-Wave
0.0
1.0
2.0
3.0
025
50
75
100
125
150
175
200
PM
STEADY
S
T
A
TE
POWER
D
ISSIP
A
TION
(W
)
(A
V),
T , LEAD TEMPERATURE ( C)
Fig. 6 Steady State Power Derating Curve
L
°
4.0
5.0
60Hz Resistive or
Inductive Load
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSR2009ZDBTXV | 20 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254 |
| SSR2010ZS | 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254 |
| SSR3515DMUS | 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| SSR3515DRMDS | 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| SSR3515DRMUS | 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SMBJ85 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 85Vr 600W 4.4A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ85/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 85V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ85/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 85V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ85/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 85V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ85/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 600W 85V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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