- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374893 > SPB100N06S2-05 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) OptiMOS Power-Transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | SPB100N06S2-05 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 310K |
| 代理商： | SPB100N06S2-05 |
2003-05-09
Page 1
SPP100N06S2L-05
SPB100N06S2L-05
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
max. SMD version
I
D
55
V
m
A
4.4
100
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO263 -3-2
P- TO220 -3-1
Marking
PN06L05
PN06L05
Type
SPP100N06S2L-05 P- TO220 -3-1
Package
Ordering Code
Q67060-S6043
SPB100N06S2L-05 P- TO263 -3-2
Q67060-S6042
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
Value
Unit
A
T
C
=25°C
I
D
100
100
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
400
I
D
=80A,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
810
mJ
E
AR
d
v
/d
t
30
6
I
S
=100A,
V
DS
=44V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
300
V
Power dissipation
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
W
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP11N80C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPA11N80C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPP15N60C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPI15N60C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPA15N60C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SPB100N06S205NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| SPB100N06S2L-05 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB100N08S2-07 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB100N08S2L-07 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB100UFA | 制造商:VMI 制造商全稱:VMI 功能描述:5,000 V - 20,000 V Single Phase Bridge 2.0 A Forward Current 70 ns Recovery Time |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。