型號: | SPB100N08S2-07 |
廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | OptiMOS Power-Transistor |
中文描述: | 的OptiMOS功率晶體管 |
文件頁數: | 1/8頁 |
文件大小: | 309K |
代理商: | SPB100N08S2-07 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SPP100N08S2-07 | OptiMOS Power-Transistor |
SPP100N08S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor |
SPB100N08S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor |
SPB11N60C3 | Cool MOS Power Transistor |
SPBI11N60C3 | Cool MOS Power Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SPB100N08S2L-07 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
SPB100UFA | 制造商:VMI 制造商全稱:VMI 功能描述:5,000 V - 20,000 V Single Phase Bridge 2.0 A Forward Current 70 ns Recovery Time |
SPB100UFB | 制造商:VMI 制造商全稱:VMI 功能描述:5,000 V - 20,000 V Single Phase Bridge 2.0 A Forward Current 70 ns Recovery Time |
SPB10100 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:2 X 100A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
SPB101B-1 | 制造商:Fujisoku 功能描述:Pushbutton detector switch,SPST,(OFF)-ON |