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參數資料
| 型號： | SPB21N10 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | SIPMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | SIPMOS功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 483K |
| 代理商： | SPB21N10 |
2002-01-31
Page 1
Preliminary data
SPI21N10
SPP21N10,SPB21N10
SIPMOS
Power-Transistor
Feature
N-Channel
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
100
V
80
m
21
A
Enhancement mode
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P-TO263-3-2
P-TO220-3-1
P-TO262-3-1
Marking
21N10
21N10
21N10
Type
SPP21N10
Package
P-TO220-3-1
Ordering Code
Q67042-S4116
SPB21N10
P-TO263-3-2
Q67042-S4102
SPI21N10
P-TO262-3-1
Q67042-S4117
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Value
Unit
A
Continuous drain current
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
21
15.0
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
84
I
D
=21 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
130
mJ
I
S
=21A,
V
DS
=80V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
d
v
/d
t
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
90
V
Power dissipation
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
W
T
j ,
T
stg
-55... +175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPI21N10 | SIPMOS Power-Transistor |
| SPP21N10 | SIPMOS Power-Transistor |
| SPB21N50C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPI21N50C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPA21N50C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SPB21N10 G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB21N10NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| SPB21N10T | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB21N50C3 | 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 560V 21A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPB21N50C3_05 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
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