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參數資料
| 型號： | SPB42N03S2L-13 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 541K |
| 代理商： | SPB42N03S2L-13 |
SPI42N03S2L-13
SPP42N03S2L-13 SPB42N03S2L-13
Opti
MOS
Power-Transistor
Features
N-channel
Enhancement mode
Logic level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
1)
I
D
T
C
=25 °C
42
A
T
C
=100 °C
42
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
248
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=42 A,
R
GS
=25
110
mJ
Repetitive avalanche energy
E
AR
limited by
T
jmax
2)
8
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=42 A,
V
DS
=24 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
83
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
30
V
R
DS(on),max
12.9
m
I
D
42
A
Product Summary
Type
Package
Ordering Code
Marking
SPP42N03S2L-13
P-TO220-3-1
Q67042-S4034
2N03L13
SPB42N03S2L-13
P-TO263-3-2
Q67042-S4035
2N03L13
SPI42N03S2L-13
P-TO262-3-1
Q67042-S4104
2N03L13
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
Rev. 2.0
page 1
2004-06-04
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP70N10L | SIPMOS Power-Transistor |
| SPB70N10L | SIPMOS Power-Transistor |
| SPI70N10L | SIPMOS Power-Transistor |
| SPP70N10L | 100-V MOS transistors in S-FET technology( 采用S-FET 技術制作的 100-V MOS 型晶體管) |
| SPP47N10L | 100-V MOS transistors in S-FET technology( 采用S-FET 技術制作的 100-V MOS 型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| SPB42N03S2L-13G | 功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 42A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPB42N03S2L13T | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB46N03 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS-TM POWER TRANSISTOR |
| SPB47N10 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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