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參數(shù)資料
型號: SPB73N03S2L-08
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 415K
代理商: SPB73N03S2L-08
2003-04-24
Page 1
SPI73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08,SPB73N03S2L-08
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
30
V
m
A
8.4
73
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
Excellent Gate Charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Superior thermal resistance
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
P- TO220 -3-1
Marking
2N03L08
2N03L08
2N03L08
Type
SPP73N03S2L-08
Package
P- TO220 -3-1
Ordering Code
Q67042-S4037
SPB73N03S2L-08
SPI73N03S2L-08
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
Q67042-S4036
Q67042-S4081
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
I
D
Value
73
62
Unit
A
T
C
=25°C,
1)
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
320
ID
=73A,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
170
mJ
E
AR
d
v
/d
t
10
IS
=73A,
V
DS
=24,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
107
V
W
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
T
j ,
T
stg
-55... +175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPI80N04S2-04 OptiMOS Power-Transistor
SPI80N04S2-H4 OptiMOS Power-Transistor
SPI80N08S2-07R OptiMOS Power-Transistor
SPI80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPB73N03S2L-08 G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB73N03S2L-08G 功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 73A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPB73N03S2L08T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB-7610AG 制造商:OPTOWAY 制造商全稱:Optoway Technology Inc 功能描述:1310 nm TX / 1550 nm RX , 3.3V / 1250 Mbps Single-Fiber SFP Transceiver
SPB-7610ALG 制造商:OPTOWAY 制造商全稱:Optoway Technology Inc 功能描述:1310 nm TX / 1550 nm RX , 3.3V / 1250 Mbps Single-Fiber SFP Transceiver
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