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參數(shù)資料
| 型號： | SPB80N08S2L-07 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor( MOS型功率晶體管) |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | SPB80N08S2L-07 |
2000-04-11
Page 1
SPP80N08S2L-07
SPB80N08S2L-07
Target data sheet
OptiMOS
=
Power-Transistor
Features
N-Channel
Enhancement mode
Avalanche rated
Logic Level
d
v
/d
t
rated
=
175°C operating temperature
Product Summary
Drain source voltage
Drain-source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
75
7.1
80
V
m
A
Type
SPP80N08S2L-07 P-TO220-3-1 -
SPB80N08S2L-07 P-TO263-3-2 -
Package
Ordering Code
Pin 1
G
PIN 2/4
D
PIN 3
S
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C = 25
°
C,
1)
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current
T
C
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 80 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode d
v
/d
t
I
S
= 80 A,
V
DS
= 60 V, d
i
/d
t
= 200 A/μs,
T
jmax
= 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
= 25 °C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Symbol
Value
80
80
Unit
A
I
D
I
D puls
320
E
AS
810
mJ
E
AR
d
v
/d
t
35.7
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
357
V
W
T
j ,
T
stg
-55...+175
55/175/56
°C
1Current limited by bondwire; with an
R
thJC
= 0.5 K/W the chip is able to carry
I
D
= 132A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP80N10L | SIPMOS Power-Transistor |
| SPI80N10L | CONNECTOR |
| SPB80N10L | SIPMOS Power-Transistor |
| SPP80P06P | SIPMOS Power-Transistor |
| SPB80P06P | SIPMOS Power-Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPB80N10L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB80N10L G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPB80N10LGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
| SPB80N10LGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| SPB80P06P | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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